Martin Eickhoff

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2018
Citaties	10576	3460
h-index	50	27
i10-index	157	90

760

380

190

570

2001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202342 60 145 243 293 328 349 479 412 444 464 525 647 611 594 645 704 760 672 652 620 516 240

Openbare toegang

Alles bekijken

44 artikelen

29 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTGeverifieerd e-mailadres voor icrea.cat
Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, FranceGeverifieerd e-mailadres voor cea.fr
Sangam ChatterjeeInstitute for Experimentalphysik Physics I, Justus-Liebig-University GiessenGeverifieerd e-mailadres voor physik.uni-giessen.de
Alexey ChernikovDresden University of Technology (TU Dresden), University of RegensburgGeverifieerd e-mailadres voor tu-dresden.de
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudGeverifieerd e-mailadres voor u-psud.fr
Anna Fontcuberta i MorralEcole Polytechnique Fédérale de LausanneGeverifieerd e-mailadres voor epfl.ch
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, FranceGeverifieerd e-mailadres voor epfl.ch
Tomás PalaciosMITGeverifieerd e-mailadres voor mit.edu
Andreas OffenhäusserForschungszentrum JülichGeverifieerd e-mailadres voor fz-juelich.de
Jaume GazquezICMAB-CSICGeverifieerd e-mailadres voor icmab.es
j. grajal de la fuenteUniversidad Politécnica de MadridGeverifieerd e-mailadres voor gmr.ssr.upm.es
Ulrich SchwarzProfessor, TU ChemnitzGeverifieerd e-mailadres voor physik.tu-chemnitz.de
Lise LahourcadeLASPE @ EPFL - SwitzerlandGeverifieerd e-mailadres voor epfl.ch
Silvia RamosUniversity of KentGeverifieerd e-mailadres voor cond-mat.org
Guido FagliaUniversity of Brescia & CNR BresciaGeverifieerd e-mailadres voor ing.unibs.it
PezoldtTU IlmenauGeverifieerd e-mailadres voor tu-ilmenau.de
Richard S. Mullerprofessor of eecs university of california berkeleyGeverifieerd e-mailadres voor eecs.berkeley.edu

Volgen

Martin Eickhoff

Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Geverifieerd e-mailadres voor ifp.uni-bremen.de

Solid state physics semiconductor physics physics of nanostructures biochemical sensors nanosensors


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1346	2002
Binary copper oxide semiconductors: From materials towards devices BK Meyer, A Polity, D Reppin, M Becker, P Hering, PJ Klar, T Sander, ... physica status solidi (b) 249 (8), 1487-1509, 2012	692	2012
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	352	2003
Playing with polarity M Stutzmann, O Ambacher, M Eickhoff, U Karrer, A Lima Pimenta, ... physica status solidi (b) 228 (2), 505-512, 2001	274	2001
Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Sensors and Actuators B: Chemical 87 (3), 425-430, 2002	265	2002
Hydrogen response mechanism of Pt–GaN Schottky diodes J Schalwig, G Müller, U Karrer, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 80 (7), 1222-1224, 2002	259	2002
GaN-based heterostructures for sensor applications M Stutzmann, G Steinhoff, M Eickhoff, O Ambacher, CE Nebel, J Schalwig, ... Diamond and related materials 11 (3-6), 886-891, 2002	233	2002
AlxGa1–xN—A new material system for biosensors G Steinhoff, O Purrucker, M Tanaka, M Stutzmann, M Eickhoff Advanced Functional Materials 13 (11), 841-846, 2003	197	2003
Polarity assignment in ZnTe, GaAs, ZnO, and GaN-AlN nanowires from direct dumbbell analysis M De La Mata, C Magen, J Gazquez, MIB Utama, M Heiss, S Lopatin, ... Nano letters 12 (5), 2579-2586, 2012	194	2012
Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey M Stutzmann, JA Garrido, M Eickhoff, MS Brandt physica status solidi (a) 203 (14), 3424-3437, 2006	187	2006
Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy-The influence of Si-and Mg-doping F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, J Arbiol, S Estradé, F Peirò, ... Journal of Applied Physics 104 (3), 034309, 2008	186	2008
Recording of cell action potentials with field-effect transistors G Steinhoff, B Baur, G Wrobel, S Ingebrandt, A Offenhäusser, A Dadgar, ... Applied physics letters 86 (3), 033901, 2005	182	2005
Chemical functionalization of GaN and AlN surfaces B Baur, G Steinhoff, J Hernando, O Purrucker, M Tanaka, B Nickel, ... Applied Physics Letters 87 (26), 263901, 2005	165	2005
Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures–Part B: Sensor applications M Eickhoff, J Schalwig, G Steinhoff, O Weidemann, L Görgens, ... physica status solidi (c), 1908-1918, 2003	156	2003
Influence of surface oxides on hydrogen-sensitive Pd: GaN Schottky diodes O Weidemann, M Hermann, G Steinhoff, H Wingbrant, A Lloyd Spetz, ... Applied Physics Letters 83 (4), 773-775, 2003	136	2003
Tin-Assisted Synthesis of by Molecular Beam Epitaxy M Kracht, A Karg, J Schörmann, M Weinhold, D Zink, F Michel, M Rohnke, ... Physical Review Applied 8 (5), 054002, 2017	134	2017
Optical properties of Si-and Mg-doped gallium nitride nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy F Furtmayr, M Vielemeyer, M Stutzmann, A Laufer, BK Meyer, M Eickhoff Journal of Applied Physics 104 (7), 074309, 2008	131	2008
Group III-nitride-based gas sensors for combustion monitoring J Schalwig, G Müller, M Eickhoff, O Ambacher, M Stutzmann Materials Science and Engineering: B 93 (1-3), 207-214, 2002	131	2002
AlN/diamond heterojunction diodes CR Miskys, JA Garrido, CE Nebel, M Hermann, O Ambacher, M Eickhoff, ... Applied physics letters 82 (2), 290-292, 2003	122	2003
Optical properties and structural characteristics of ZnMgO grown by plasma assisted molecular beam epitaxy TA Wassner, B Laumer, S Maier, A Laufer, BK Meyer, M Stutzmann, ... Journal of Applied Physics 105 (2), 023505, 2009	121	2009

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs