Wayne Johnson

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2018
Citaties	6802	1946
h-index	50	23
i10-index	110	60

500

250

125

375

2002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023134 187 166 131 249 227 300 289 280 403 316 496 389 407 379 454 394 365 366 317 312 192

Openbare toegang

Alles bekijken

6 artikelen

2 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TGeverifieerd e-mailadres voor che.ufl.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaGeverifieerd e-mailadres voor mse.ufl.edu
Edwin PinerProfessor, Texas State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor txstate.edu
Yu CaoQorvoGeverifieerd e-mailadres voor qorvo.com
Brent P. GilaUniversity of FloridaGeverifieerd e-mailadres voor ufl.edu
Cammy R AbernathyUniversity of FloridaGeverifieerd e-mailadres voor eng.ufl.edu
Sameer SinghalDirector, CFD Research CorpGeverifieerd e-mailadres voor cfdrc.com
Lu LiuUniversity of Florida, Stanford UniversityGeverifieerd e-mailadres voor stanford.edu
Debdeep JenaCornell UniversityGeverifieerd e-mailadres voor cornell.edu
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityGeverifieerd e-mailadres voor cornell.edu
Andrei VescanRWTH AachenGeverifieerd e-mailadres voor cst.rwth-aachen.de
Jihyun KimSeoul National UniversityGeverifieerd e-mailadres voor snu.ac.kr
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameGeverifieerd e-mailadres voor nd.edu
Isik KizilyalliARPA-e, U.S.Department of EnergyGeverifieerd e-mailadres voor hq.doe.gov
Jen-Inn ChyiProfessor of National Central UniversityGeverifieerd e-mailadres voor ee.ncu.edu.tw
Guowang LiGoogleGeverifieerd e-mailadres voor google.com
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityGeverifieerd e-mailadres voor yale.edu
Yu-Lin WangNational Tsing Hua University, Institute of Nanoengineering and MicrosystemsGeverifieerd e-mailadres voor mx.nthu.edu.tw
Byung-Hwan ChuIBM, Samsung, U or FloridaGeverifieerd e-mailadres voor ufl.edu
Tanmay LeleTexas A&M UniversityGeverifieerd e-mailadres voor tamu.edu

Volgen

Wayne Johnson

Andere namenJW Johnson, W Johnson

Soundside Partners LLC

Geverifieerd e-mailadres voor soundsidepartners.com

GaN SiC RF/microwave power electronics compound semiconductors


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
12 W/mm AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates JW Johnson, EL Piner, A Vescan, R Therrien, P Rajagopal, JC Roberts, ... IEEE Electron Device Letters 25 (7), 459-461, 2004	303	2004
Influence of MgO and passivation on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors B Luo, JW Johnson, J Kim, RM Mehandru, F Ren, BP Gila, AH Onstine, ... Applied Physics Letters 80 (9), 1661-1663, 2002	220	2002
1.9-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon M Zhu, B Song, M Qi, Z Hu, K Nomoto, X Yan, Y Cao, W Johnson, E Kohn, ... IEEE Electron Device Letters 36 (4), 375-377, 2015	193	2015
Enzymatic glucose detection using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, F Ren, SJ Pearton, TE Morey, DM Dennis, ... Applied Physics Letters 91 (25), 2007	174	2007
Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same JW Johnson, RJ Therrien, A Vescan, JD Brown US Patent 7,071,498, 2006	173	2006
Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN∕ GaN high-electron mobility-transistor membranes BS Kang, S Kim, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, P Rajagopal, ... Applied Physics Letters 85 (14), 2962-2964, 2004	162	2004
Prostate specific antigen detection using AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, JW Johnson, ... Applied physics letters 91 (11), 2007	143	2007
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor JW Johnson, B Luo, F Ren, BP Gila, W Krishnamoorthy, CR Abernathy, ... Applied Physics Letters 77 (20), 3230-3232, 2000	143	2000
DC and RF performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 79 (14), 2196-2198, 2001	139	2001
Electrical detection of deoxyribonucleic acid hybridization with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, SJ Pearton, JJ Chen, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, ... Applied Physics Letters 89 (12), 2006	138	2006
Breakdown voltage and reverse recovery characteristics of free-standing GaN Schottky rectifiers JW Johnson, AP Zhang, WB Luo, F Ren, SJ Pearton, SS Park, YJ Park, ... IEEE Transactions on Electron devices 49 (1), 32-36, 2002	130	2002
210-GHz InAlN/GaN HEMTs with dielectric-free passivation R Wang, G Li, O Laboutin, Y Cao, W Johnson, G Snider, P Fay, D Jena, ... IEEE electron device letters 32 (7), 892-894, 2011	128	2011
GaN electronics for high power, high temperature applications SJ Pearton, F Ren, AP Zhang, G Dang, XA Cao, KP Lee, H Cho, BP Gila, ... Materials Science and Engineering: B 82 (1-3), 227-231, 2001	128	2001
Reliability of large periphery GaN-on-Si HFETs S Singhal, T Li, A Chaudhari, AW Hanson, R Therrien, JW Johnson, ... Microelectronics Reliability 46 (8), 1247-1253, 2006	122	2006
Lateral power rectifiers with 9.7 kV reverse breakdown voltage AP Zhang, JW Johnson, F Ren, J Han, AY Polyakov, NB Smirnov, ... Applied Physics Letters 78 (6), 823-825, 2001	120	2001
Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity ofand DS Lee, H Wang, A Hsu, M Azize, O Laboutin, Y Cao, JW Johnson, ... IEEE electron device letters 34 (8), 969-971, 2013	116	2013
Influence of γ-rays on dc performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied physics letters 80 (4), 604-606, 2002	115	2002
Gadolinium oxide and scandium oxide: gate dielectrics for GaN MOSFETs BP Gila, JW Johnson, R Mehandru, B Luo, AH Onstine, V Krishnamoorthy, ... physica status solidi (a) 188 (1), 239-242, 2001	115	2001
Fast electrical detection of Hg (II) ions with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors HT Wang, BS Kang, TF Chancellor, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 91 (4), 2007	106	2007
Semiconductor device-based sensors JW Johnson, EL Piner, KJ Linthicum US Patent 7,361,946, 2008	105	2008

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs