Siddharth Rajan

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2018
Citaties	15227	10539
h-index	70	53
i10-index	181	152

2300

1150

575

1725

20062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202394 88 146 149 217 211 261 496 601 692 818 816 1056 1518 1843 1961 2253 1891

Openbare toegang

Alles bekijken

90 artikelen

28 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Sriram KrishnamoorthyUniversity of California, Santa BarbaraGeverifieerd e-mailadres voor ucsb.edu
Zhanbo XiaPost Doctoral Scholar, ECE, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Umesh MishraUCSBGeverifieerd e-mailadres voor ece.ucsb.edu
Digbijoy NathAssociate Professor at Indian Institute of ScienceGeverifieerd e-mailadres voor iisc.ac.in
Yuewei ZhangUCSBGeverifieerd e-mailadres voor ucsb.edu
Jim SpeckProfessor of Materials, UCSBGeverifieerd e-mailadres voor ucsb.edu
Fatih AkyolYıldız Teknik ÜniversitesiGeverifieerd e-mailadres voor yildiz.edu.tr
Sanyam BajajIntel CorporationGeverifieerd e-mailadres voor intel.com
PIL SUNG PARKTechnology Development Center, Samsung ElectronicsGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Chandan JoishiPost Doctoral Researcher, ECE, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Steven RingelThe Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Aaron ArehartAssistant Research Professor of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Stacia KellerUniversity of California Santa BarbaraGeverifieerd e-mailadres voor ece.ucsb.edu
Steven DenBaarsProfessor of Materials, University of California Santa BarbaraGeverifieerd e-mailadres voor engineering.ucsb.edu
Jinwoo HwangAssociate Professor, Materials Science and Engineering, Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Nidhin Kurian KalarickalAssistant Professor, Electrical Computer and Energy Engineering, Arizona State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor asu.edu
Wu Lu, ProfessorThe Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Joe McGloneResearch Scientist, ECE and IMR at Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Shahadat Hasan SohelIntelGeverifieerd e-mailadres voor intel.com
Roberto C. MyersProfessor of Materials Science, Electrical Engineering, and Physics, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu

Volgen

Siddharth Rajan

Electrical and Computer Engineering, Ohio State University

Geverifieerd e-mailadres voor ece.osu.edu - Homepage

semiconductors semiconductor devices


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Ultrawide‐bandgap semiconductors: research opportunities and challenges JY Tsao, S Chowdhury, MA Hollis, D Jena, NM Johnson, KA Jones, ... Advanced Electronic Materials 4 (1), 1600501, 2018	1037	2018
Room temperature intrinsic ferromagnetism in epitaxial manganese selenide films in the monolayer limit DJ O’Hara, T Zhu, AH Trout, AS Ahmed, YK Luo, CH Lee, MR Brenner, ... Nano letters 18 (5), 3125-3131, 2018	636	2018
High-power AlGaN/GaN HEMTs for ka-band applications T Palacios, A Chakraborty, S Rajan, C Poblenz, S Keller, SP DenBaars, ... IEEE Electron device letters 26 (11), 781-783, 2005	570	2005
Demonstration of high mobility and quantum transport in modulation-doped β-(AlxGa1-x) 2O3/Ga2O3 heterostructures Y Zhang, A Neal, Z Xia, C Joishi, JM Johnson, Y Zheng, S Bajaj, ... Applied Physics Letters 112 (17), 2018	339	2018
p-type doping of MoS2 thin films using Nb MR Laskar, DN Nath, L Ma, EW Lee, CH Lee, T Kent, Z Yang, R Mishra, ... Applied Physics Letters 104 (9), 2014	333	2014
The 2020 UV emitter roadmap H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ... Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020	322	2020
Electrostatic carrier doping of GdTiO3/SrTiO3 interfaces P Moetakef, TA Cain, DG Ouellette, JY Zhang, DO Klenov, A Janotti, ... Applied Physics Letters 99 (23), 2011	307	2011
Modulation-doped β-(Al0. 2Ga0. 8) 2O3/Ga2O3 field-effect transistor S Krishnamoorthy, Z Xia, C Joishi, Y Zhang, J McGlone, J Johnson, ... Applied Physics Letters 111 (2), 2017	288	2017
N-polar GaN∕ AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors S Rajan, A Chini, MH Wong, JS Speck, UK Mishra Journal of Applied Physics 102 (4), 2007	269	2007
Large area single crystal (0001) oriented MoS2 MR Laskar, L Ma, S Kannappan, P Sung Park, S Krishnamoorthy, ... Applied Physics Letters 102 (25), 2013	262	2013
Influence of the dynamic access resistance in the g/sub m/and f/sub T/linearity of AlGaN/GaN HEMTs T Palacios, S Rajan, A Chakraborty, S Heikman, S Keller, SP DenBaars, ... IEEE Transactions on Electron Devices 52 (10), 2117-2123, 2005	237	2005
N-polar GaN epitaxy and high electron mobility transistors MH Wong, S Keller, SD Nidhi, DJ Denninghoff, S Kolluri, DF Brown, J Lu, ... Semiconductor Science and Technology 28 (7), 074009, 2013	229	2013
High responsivity in molecular beam epitaxy grown β-Ga2O3 metal semiconductor metal solar blind deep-UV photodetector A Singh Pratiyush, S Krishnamoorthy, S Vishnu Solanke, Z Xia, ... Applied Physics Letters 110 (22), 2017	227	2017
Effect of carbon doping on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors C Poblenz, P Waltereit, S Rajan, S Heikman, UK Mishra, JS Speck Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2004	222	2004
Polarity governs atomic interaction through two-dimensional materials W Kong, H Li, K Qiao, Y Kim, K Lee, Y Nie, D Lee, T Osadchy, RJ Molnar, ... Nature materials 17 (11), 999-1004, 2018	214	2018
Electrical properties of atomic layer deposited aluminum oxide on gallium nitride M Esposto, S Krishnamoorthy, DN Nath, S Bajaj, TH Hung, S Rajan Applied Physics Letters 99 (13), 2011	195	2011
Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes S Krishnamoorthy, DN Nath, F Akyol, PS Park, M Esposto, S Rajan Applied Physics Letters 97 (20), 2010	188	2010
Prospects for the application of GaN power devices in hybrid electric vehicle drive systems M Su, C Chen, S Rajan Semiconductor Science and Technology 28 (7), 074012, 2013	186	2013
β-Gallium oxide power electronics AJ Green, J Speck, G Xing, P Moens, F Allerstam, K Gumaelius, T Neyer, ... Apl Materials 10 (2), 2022	174	2022
Suppression of electron overflow and efficiency droop in N-polar GaN green light emitting diodes F Akyol, DN Nath, S Krishnamoorthy, PS Park, S Rajan Applied Physics Letters 100 (11), 2012	171	2012

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs