Martin Stutzmann

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2018
Citaties	42919	8630
h-index	96	38
i10-index	493	192

2300

1150

575

1725

198519861987198819891990199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023124 129 290 227 283 215 444 356 605 515 513 492 531 600 611 804 884 889 1184 1193 1288 1394 1431 1603 1547 1660 1847 2066 2205 2006 2021 2096 2005 1936 1780 1680 1560 1349 325

Openbare toegang

Alles bekijken

93 artikelen

79 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgGeverifieerd e-mailadres voor inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenGeverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenGeverifieerd e-mailadres voor ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAGeverifieerd e-mailadres voor icn2.cat
Roman DimitrovFinisarGeverifieerd e-mailadres voor finisar.com
Ian D. SharpWalter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universität MünchenGeverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-EssenGeverifieerd e-mailadres voor uni-due.de
James R. ShealyCornell UniversityGeverifieerd e-mailadres voor ece.cornell.edu
WARREN B JACKSONPrincipal ScientistGeverifieerd e-mailadres voor parc.com
Carlos F. O. Graeff (ORCID:0000-0003...Professor Titular do DF-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPGeverifieerd e-mailadres voor unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenGeverifieerd e-mailadres voor uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenGeverifieerd e-mailadres voor wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterGeverifieerd e-mailadres voor parc.com
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungGeverifieerd e-mailadres voor ikz-berlin.de
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff UniversityGeverifieerd e-mailadres voor cardiff.ac.uk
Sebastian GoennenweinProfessor for Solid State Physics, Technische Universität DresdenGeverifieerd e-mailadres voor tu-dresden.de
Manuel CardonaMax Planck InstitutGeverifieerd e-mailadres voor fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenGeverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre DameGeverifieerd e-mailadres voor itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation FacilityGeverifieerd e-mailadres voor esrf.fr

Volgen

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

Geverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de - Homepage

Semiconductor Physics


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	3406	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	1952	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1565	1985
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1331	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1094	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	745	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	709	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	610	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 203107, 2006	566	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	452	1989
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, OAO Ambacher, ... Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	401	1999
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	393	1997
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	384	1996
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B 83 (8), 081304, 2011	364	2011
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	361	1987
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	360	1998
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	351	2003
Electronic properties of semiconducting FeSi₂ films CA Dimitriadis, JH Werner, S Logothetidis, M Stutzmann, J Weber, ... Journal of applied physics 68 (4), 1726-1734, 1990	295	1990
Optical process for liftoff of group III-nitride films MK Kelly, O Ambacher, R Dimitrov, R Handschuh, M Stutzmann Physica Status Solidi A (Applied Research) 159, 1997	285	1997
Influence of substrate‐induced biaxial compressive stress on the optical properties of thin GaN films W Rieger, T Metzger, H Angerer, R Dimitrov, O Ambacher, M Stutzmann Applied physics letters 68 (7), 970-972, 1996	280	1996

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs