Martin Stutzmann

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2019
Citaties	45501	9032
h-index	97	39
i10-index	514	191

2300

1150

575

1725

1985198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024129 136 290 217 283 215 449 373 614 523 520 506 534 581 592 812 867 891 1186 1167 1288 1381 1343 1640 1545 1696 1901 2098 2215 2077 2038 2095 2046 1965 1829 1741 1628 1399 1280 1154

Openbare toegang

Alles bekijken

97 artikelen

79 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgGeverifieerd e-mailadres voor inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenGeverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenGeverifieerd e-mailadres voor ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAGeverifieerd e-mailadres voor icn2.cat
Roman DimitrovFinisarGeverifieerd e-mailadres voor finisar.com
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-EssenGeverifieerd e-mailadres voor uni-due.de
James R. ShealyCornell UniversityGeverifieerd e-mailadres voor ece.cornell.edu
Josef Gerhard MüllerMunich University of Applied SciencesGeverifieerd e-mailadres voor hm.edu
WARREN B JACKSONPrincipal ScientistGeverifieerd e-mailadres voor parc.com
Carlos F. O. Graeff FRSC (ORCID:000...Professor Titular do DFM-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPGeverifieerd e-mailadres voor unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenGeverifieerd e-mailadres voor uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenGeverifieerd e-mailadres voor wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterGeverifieerd e-mailadres voor parc.com
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungGeverifieerd e-mailadres voor ikz-berlin.de
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff UniversityGeverifieerd e-mailadres voor cardiff.ac.uk
Manuel CardonaMax Planck InstitutGeverifieerd e-mailadres voor fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenGeverifieerd e-mailadres voor wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre DameGeverifieerd e-mailadres voor itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation FacilityGeverifieerd e-mailadres voor esrf.fr
Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTGeverifieerd e-mailadres voor icrea.cat

Volgen

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

Geverifieerd e-mailadres voor tum.de - Homepage

Semiconductor Physics


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	3766	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	2147	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1574	1985
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1421	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1124*	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	803	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	738	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	648	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 2006	585	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	449	1989
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	426	1997
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, LGL Görgens, ... Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	420	1999
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (8), 081304, 2011	411	2011
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	387	1996
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	369	2003
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	369	1987
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	368	1998
Electronic properties of semiconducting FeSi₂ films CA Dimitriadis, JH Werner, S Logothetidis, M Stutzmann, J Weber, ... Journal of applied physics 68 (4), 1726-1734, 1990	321	1990
Optical process for liftoff of group III-nitride films MK Kelly, O Ambacher, R Dimitrov, R Handschuh, M Stutzmann Physica Status Solidi A (Applied Research) 159, 1997	302	1997
Graphene transistor arrays for recording action potentials from electrogenic cells LH Hess, M Jansen, V Maybeck, MV Hauf, M Seifert, M Stutzmann, ... Advanced Materials 23 (43), 5045, 2011	299	2011

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs